坎儿。”
“你仔细和我说说。”
“现在国外几家大厂都是使用duv，也就是深紫外光，通过氟化氪krf 准分子激光来产生波长248 n的光，这种光刻机是现在的主流，他们实验室里现在已经基本研发完了通过氟化氩arf准分子激光来产生波长193 n光波的下一代光刻机，193n光刻机没问题。但用f2准分子激光产生波长157n的光就是个大坑了，他们过不去了，技术解决不了。瓶颈出现了，咱们追赶的机会来了。”
“那他们的解决办法是什么？”
“研发euv光刻机，也就是极紫外光刻技术。极紫外光刻使用波长在135n的软x射线来光刻，相当于用了一把更小、更锋利的‘刀’。极紫外光刻是5n等更先进制程的必需工艺。但因为euv不能穿透透镜，只能用特殊的反射镜来对焦，这样euv的能量损失会很大，需要更长的曝光时间，会严重影响生产速度，这也就是euv光刻机难以大规模量产的原因。因此我确信euv光刻技术15年内完成不了原型机，20年内量产无望。”
“你确定？”
“我十分确定一定以及肯定。我了解到的信息是荷兰阿斯麦公司会联合花旗国的几家企业攻坚euv这个难题，不带咱们玩，当然，他们也不代表日系厂商玩。尼康和佳能会死磕157n光刻机，这个是死路一条，等到他们衰落下去了咱们可以联合他们在国内建厂，吸收他们的技术以后，再一起研发euv光刻机，7n以下的制程，duv光刻机就不行了。”
“等等，你说duv光刻不能达到7n以下？那你的意思是说duv光刻能突破65n，甚至28n、14n直至7n？”
“不错，能，甚至14n，7n都可以，但比较麻烦。”
“怎么做？你怎么研究的？”
“怎么研究的你就别管了。我接下来说的话你谁都不能说，包括在网络上，你看我特意找你办公室来聊，连icq都不用，你就知道问题的严重性了。”
“有必要这么谨慎吗？”
“当然有必要啦。此前，芯片制造工艺的更新换代是以3年为一个周期，但tel率先将这个周期缩短为2年。tel公司在1995年实现了035微米工艺量产，1997年他们会推出025微米产品，1999年就是018微米工艺，到了2001年则实现013微米产品的量产。英特尔在忠实地践行着摩尔定律啊。”
“两年一个更新换代，这是要弄死ad啊。”
“这才好啊，这样咱们就可以拉拢ad，对抗tel了啊。不过呢，这只可能是一个幻想罢了，英特尔、ad和微软之间肯定是有默契的，他们会联合起来搞死其他所有人，然后他们自己再慢慢玩，但英特尔和ad谁也不会被玩死，否则他们就涉嫌垄断了。”