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第051章 改变闪存格局(1 / 2)

艾利·哈拉里博士听了仓耀祖的描述就是眼前一亮,对啊,闪存并不一定非要依托其他的产品而存在啊,存储就是一个很大的消费需求啊,给闪存加一个控制芯片,然后再封装一下,通过b接口就能当软盘使用啊,现在的软盘可是太坑爹了,那么小的容量,装个游戏就要十几张软盘,还要分卷压缩,太折腾人了,对小白用户十分不友好。

“对啊,这个设计虽然简单,可是却非常实用,用户需求也大了很多。怎么以前我们就没想到这个方面呢,只是老老实实地去设计存储卡,数码产品的发展还是慢啊,市场不够大啊。仓先生,你这个设计就是内存芯片再加上一个主控芯片,用硬化塑料或者金属材质封装起来就完成了,对吧?”

“是的,教授,一个u盘的好坏,主要就是两个方面,一个是主控电路芯片的性能,一个就是闪存芯片的容量,解决了这两个方面,这个小东西就可以进入市场了,如果有需要还可以开发一些新颖的功能,比如写入锁定功能啊,加密功能啊之类的。教授我希望您还是要多在研发一线发挥下作用,管理这方面的工作能做的人很多很多,但研发却不是谁都能干好的,您的研发优势必须得发挥出来啊。”

“老头子年纪不小了,研发挺耗精力的,以前我还要管理公司,就有点兼顾不过来了。现在好了,担子轻了很多,你们又都很有想法,我能看到闪存在半导体在it领域占据一片空间,我就很欣慰了。”

“不,博士,我们华夏有句话叫做家有一老,如有一宝。您的思路非常灵活啊。主控芯片这方面倒是好说,不算复杂,但是内存的容量还要提升啊。”

容量的闪存。”

“博士,你知道多层单元架构吗?就是ulti level cell,即lc架构,相对于sgle level cell,即slc架构而言,lc架构能把容量提升一倍。”

“听倒是听说过,这种架构读写速度慢,可写次数少,寿命比较短啊。”

“可是这种架构的nand闪存成本低容量大啊,lc将2个或2个bit以上的信息写入一个浮动栅,然后利用不同电位的电荷,通过内存储存格的电压来控制精准读写。

我听说英特尔正在研究这项技术,估计明年就应该能发布了,我希望您这边能把这项技术研发出来,这是未来发展的趋势啊,读写速度很多情况下是可以忽略的,写入次数少寿命短的问题也不是不能解决,现在的it产品的周期是很短的,一般也就1到2年,这个产品周期lc技术完全能够满足。

但是,容量大小和成本优势就是不可忽视的了,这项技术要是能研发出来申请专利,咱们公司的发展就有了保障了,而且lc架构完成之后,您还可以研发tlc技术,我确信这就是闪存未来的发展方向。”

“好,我会集中精力做这个研发。”

“那就拜托教授了,我希望你这边能多招聘一些工程师来协助您,现在英特尔那边也在研发,时间就是市场,时间就是金钱啊。

我刚才和您说过了,第一个项目是u盘,那么咱们要合作的第二个项目就是3,类似于u盘,但3就不再是简单的存储设备了,而是一个娱乐产品。3播放器通过芯片对3格式的歌曲进行解码播放,这个项目我们要部分淘汰掉磁带、唱片和cd等播放设备,打造一个音乐的全新世界。但这一切都需要大容量的闪存,64或者128的产品我完全不能接受。要知道一首歌就有4左右的大小呢。”

“好,这个项目好,市场前景广阔,专利情况怎么样?”

“这两个项目我们都申请了很多专利,专利布局可以说很完善了。至于3的相关专利我们也已经购买到手了,嗯,从好几家手里购买的,专利这方面肯定没问题了,现在主要是闪存的容量问题。

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